高通快充(英语:Quick Charge,简称:QC 或 QC快充)是高通骁龙单片系统中的快速充电技术,使设备的充电速率能高于标准USB。高通快充是众多高于5V2A充电技术的竞争者之一,其他快充技术有联发科的Pump Express 页面存档备份,存于互联网档案馆、OPPO的VOOC和Sony的Xperia Adoptive Charging。
自QC3.0开始该驱动技术被命名为INOV,有许可充电电压量化等级后的独立版本编号。
QC4随2016年的骁龙835推出,增加额外的安全措施防止过充和过热,并依循USB电源规格。