温度系数

温度系数（temperature coefficient）是指在温度变化1K时，特定物理量的相对变化。

以下的公式中，为特定的物理量，为量测物理量时的温度，₀为参考温度，Δ为量测温度及参考温度的温度差，α为（线性）温度系数。则物理量可以用以下公式表示：

此处α的量纲为温度的倒数（1/K或K−1）。

以上式子的物理量和温度成线性关系，若物理量和温度的多项式或对数成正比，也可以在一定温度范围内计算温度系数，近似此范围内的物理量变化。若物理量是随温度指数增长或指数衰减（例如阿伦尼乌斯方程），只能在一个很小的温度范围内计算温度系数。

温度系数会随应用领域的不同而不同，例如核能、电子学或磁学均有其温度系数。物体的弹性模量也会随温度而变化，一般弹性模量会随温度升高而下降。

负温度系数（NTC）是指一物体在一定温度范围内，其物理性质（例如电阻）随温度昇高而降低。半导体、绝缘体的电阻值都随温度上升而下降。

热导率为负温度系数的材料自1961年起，常用在地板暖气（英语：Underfloor heating）中。负温度系数可以避免对地毯、豆豆椅、床垫的部分过度加热，部分过度加热可能会破坏木质地板，甚至会产生火灾。

半导体和陶瓷的电阻为负温度系数。

在设计电子元件及电路时需考虑温度对电阻和元件的影响。导体的电阻率对温度大致为线性变化，可以近似为下式：

其中

${\displaystyle {\mathrm{\rho <!--\; \rho \; -->}}_0}$ = 0 °C）下的电阻率

不过半导体的电阻率对温度就是指数变化:

其中${\displaystyle S}$及则是决定其函数和特定温度下电阻率数值的系数。

而导体而言，即为其电阻温度系数。半导体的电阻温度系数则不太一致，有些文献将上述的为半导体的电阻温度系数。但描述半导体的电阻温度特性时，常会整理上式，使为常数e，以那时的来描述半导体的电阻温度特性。

上述性质常用在热敏电阻中。

电阻的正温度系数（PTC）是指材料的电阻值会随温度上升而上升，若一物质的电阻温度特性可作为工程应用，一般需要其阻值随温度有较大的变化，也就是温度系数较大。温度系数越大，代表在相同温度变化下，其电阻增加的越多。

大部分陶瓷的电阻为负温度系数，其统御方程为阿伦尼乌斯方程

其中为电阻，和为常数，而为绝对温度（K）。

常数和形成及移动载流子所需的能量有关，因此若B降的越低，材料越接近绝缘体。NTC电阻的目的就是选择适当的系数B，可以对温度有良好的灵敏度。利用常数可以建立以下电阻和温度的关系：

其中${\displaystyle R_0}$为温度。可由上式看出${\displaystyle {\mathrm{\alpha <!--\; \alpha \; -->}}_T}$是核反应度对温度的偏微分，也就是核反应度的温度系数。${\displaystyle {\mathrm{\alpha <!--\; \alpha \; -->}}_T}$表示温度变化对核反应度的影响，可应用在被动式核能安全（英语：passive nuclear safety）。负的${\displaystyle {\mathrm{\alpha <!--\; \alpha \; -->}}_T}$常被视为是核能安全的重要指标，不过由于实际反应器的大幅度温度变化（和理论上的均质反应器不同），限制了以此单一数值作为核能安全指标的可行性 。

在以水为中子减速剂的核反应器，总体核反应度对温度的变化会以核反应性对水温度的变化来表示，不过反应器中的不同材质（如燃料或包复层）均有个自的核反应度温度系数。水会随着温度升高而膨胀，因此中子在中子减速剂中运动的时间会变长，燃料的体积变化相对较小。燃料温度变化造成的核反应度影响，会形成一种称为多普勒展宽的现象，是指填充材料中的快中子吸收共振，避免中子被热化减速的现象。