双倍数据率同步动态随机存取存储器（英语：Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，简称DDR SDRAM）为具有双倍数据传输率（英语：Double data rate）的SDRAM，其数据传输速度为系统时脉的两倍，由于速度增加，其传输性能优于传统的SDRAM。
DDR SDRAM 在系统时钟的上升沿和下降沿都可以进行数据传输。
JEDEC固态技术协会为DDR存储器设立速度规范，并分为以下两个部分：按内存芯片分类和按内存模块分类。
SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟上升期进行数据传输；而DDR则是一个时钟周期内可传输两次数据，也就是在时钟的上升期和下降期各传输一次数据。
注意：上面列出的数据都是由JEDEC JESD79F指定。所有RAM的上市规格的数据率不一定是JEDEC规范，往往是制造商自行最优化，使用更严格的公差或overvolted芯片。
DDR SDRAM 之间有很大的设计上的差异，设计不同的时钟频率，例如，PC-1600被设计运行在100 MHz，至于PC-2100被设计运行在133 MHz。
DDR SDRAM 的模块用于台式机，被称为DIMMs，有184只引脚（而不是168针SDRAM，或240针脚的DDR2 SDRAM），并可以从不同notches数目来辨别（DDR SDRAM，有一个，SDRAM，SDRAM DIMMs的有两个）。笔记本电脑上的DDR SDRAM 的SO-DIMMs有200只引脚，引脚相同数量的DDR2的SO-DIMMs。这两种规格的缺口也非常相似，如果不能确定正确的匹配，必须小心插入。
为了要增加内存的容量和带宽，芯片会利用模块结合。例如，有关 DIMMs 的64位bus需要8个 8位的芯片并发处理。与常见的地址线（address lines）的多个芯片被称为memory rank。这个术语被引入，是要避免与芯片内部row和bank的混乱。
PC3200是使用带宽 3200 MB / s的DDR - 400芯片设计，在200 MHz的DDR SDRAM 由于 PC3200内存的上升和下降时钟边沿的数据传输，其有效的时钟速率为 400 MHz。
（DDR1）已被DDR2 SDRAM取代，其中有一些修改，以允许更高的时钟频率。与DDR2的竞争是Rambus 公司的XDR DRAM 。DDR3 SDRAM是一个新的标准，提供更高的性能和新功能。
DDR 预取缓冲器（prefetch buffer）深度为2比特，而DDR2采用4位。虽然DDR2的时钟速率高于DDR，但整体性能并没有提升，主要是由于DDR2高延迟（high latency）。直到2004年DDR2才有明显的提升。
MDDR是Mobile DDR的缩写，在一些行动电子设备中使用，像是使用移动电话、手持设备、数字音频播放器等。通过包括降低电源电压和先进的刷新选项（advanced refresh options）技术，MDDR可以实现更高的电源效率。
利用下列公式，就可以计算出DDR SDRAM时脉。
DDR I/II存储器运作时脉：实际时脉*2。（由于两笔数据同时传输，200MHz存储器的时脉会以400MHz运作。）
存储器带宽=存储器速度*8 Byte
标准公式：存储器除频系数=时脉／200→*速算法：外频*（除频频率／同步频率）（使用此公式将会导致4%的误差）
