氧化铟镓锌（英语：indium gallium zinc oxide，缩写：IGZO）是一种LCD薄膜晶体管显示器技术，IGZO结晶最初由君冢昇于1985年合成，1990年代由东京工业大学教授细野秀雄与日本科学技术振兴机构（JST）共同开发成IGZO透明不定形氧化物半导体技术。IGZO技术可提高面板分辨率同时又降低成本，但IGZO面板对光、水以及氧都相当敏感，耐用度上只能用做民间消费品，不能用于高可靠度的军用或工业环境。
IGZO与非晶硅相比能够缩小晶体管尺寸，提高液晶面板画素的开口率，较易实现分辨率高出一倍，电子迁移率快十倍，成为OLED技术的最大对手。
日本科学技术振兴机构（JST）把技术专利于2011年授权予三星电子，2012年夏普(Sharp)亦获得授权。
LTPS（低温多硅显示面板）的表现在某些方面比IGZO更佳（如电子迁移率比IGZO快约十倍），但是LTPS用在小尺寸面板上才能有可接受的成本，在中大尺寸面板上使用IGZO技术的成本则比使用LTPS低很多。
