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Insub2/subOsub3/sub
✍ dations ◷ 2025-09-26 11:32:33 #In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>
氧化铟是一种无机化合物,化学式为In2O3,是一种两性氧化物,且为铟最稳定的氧化物。块状样品可通过铟(Ⅲ)的氢氧化物、硝酸盐、碳酸盐或硫酸盐的热分解来制备。氧化铟的薄膜可以通过在氩/氧气中铟靶的溅射沉积来制备。它们可被用作半导体的扩散阻挡层(英语:diffusion barrier)(“阻挡金属”),例如可抑制铝和硅之间的扩散。氧化铟在700℃分解为氧化亚铟(一氧化二铟),其于2000℃进一步分解。淡黄色的氧化铟可溶于酸和碱,但棕红色的相对难溶。和氨在高温下反应,形成氮化铟。同样地,氧化铟也能被氢气还原,产生氧化亚铟或金属铟:氧化铟和Cs2O在600℃反应,可以得到无色吸湿性的偏铟酸铯(CsInO2);K2O和铟可以形成分子式为K5InO4的化合物,其中有四面体结构的InO45−。和一些三价金属氧化物反应,可以形成钙钛矿结构的化合物,例如:氧化铟被使用在一些类型的电池,对可见光透明的薄膜红外线反射镜(热镜(英语:Hot mirror)),一些光学涂层,有的抗静电涂料。二氧化锡的组合,氧化铟形式的氧化铟锡(也称为锡掺杂的氧化铟或ITO)用于透明导电涂层的材料。在半导体中,氧化铟可以作为一种n型半导体,用于集成电路中的电阻器。在组织学,氧化铟被用作一些染色剂配方的一部分。
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