威廉·加德纳·普凡（William Gardner Pfann，昵称"比尔"（Bill），1917年10月27日－1982年10月22日）是贝尔实验室的发明家与材料科学家。普凡因开发半导体产业（英语：Semiconductor industry）用的区域熔炼技术而赫赫有名。贝尔实验室的官方历史这么记载道："由威廉·加德纳·普凡开发的区域精炼是划时代的发明...它是让锗与硅中的杂质能被吾人控制的重大贡献"（Timely invention of zone refining by W.G.Pfann ... was a major contribution that helped bring the impurities in germanium and silicon under control.）。
普凡生于纽约市布鲁克林。1935年普凡年仅18岁就展现了对材料科学的才能，没有大学学历就进入了贝尔实验室的化学研究部门。后来到柯柏联盟学院的夜校上学，才于1940年取得化学工程的学士学位。:198
在贝尔实验室，普凡加入威廉·肖克利意图以半导体取代真空管的工作。本来他们采用锗，1945年用锗做出了高逆压整流器。:124 普凡想出了最早的一种点接式晶体管（英语：Point-contact transistor），他改良了西方电气（英语：Western Electric）的1N26型点接二极管使其成为三极放大器，后来被称为A型晶体管（Type A transistor）。
1973年，普凡成为第一位摩尔杰出成就固态科学科技奖章（英语：Gordon E. Moore Medal for Outstanding Achievement in Solid State Science and Technology）的受奖者。1975年，普凡被推选为美国国家科学院院士。1976年获美国物理联合会授予麦克格罗迪新材料奖（英语：James C. McGroddy Prize for New Materials）。
