极紫外光刻

✍ dations ◷ 2025-04-26 01:51:20 #半导体器件制造

极紫外光微影、超紫外线平版印刷术（英语：Extreme ultraviolet lithography，亦称EUV或EUVL）是一种使用极紫外（EUV）波长的下一代微影（英语：next-generation lithography）技术，目前预期使用13.5纳米，预计将于2020年得到广泛应用。

透过高能量、波长短的光源，将电路图案转印到晶圆。EUV光源波长比目前深紫外线微影的光源波长短少约15 倍，因此能达到持续将线宽尺寸缩小的目的。然而EUV光罩与传统的光罩截然不同，当采用13.5nm波长的极紫外光微影技术时，所有的光罩材料都是不透光的，因此具复合多涂层反射镜的光罩可将电路图案反射到晶圆上。这种多层膜EUV光罩一方面可维持光罩的反射率，但另一方面会在临界线宽、轮廓、刻线边缘粗糙度、选择性和缺陷控制方面造成独特的蚀刻晚了10多年。

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