电迁移

✍ dations ◷ 2025-01-23 03:04:39 #电迁移

电迁移（英语：Electromigration）是由于通电导体内的电子运动，把它们的动能传递给导体的金属离子，使离子朝电场反方向运动而逐渐迁移，导致导体的原子扩散、损失的一种现象。由法国科学家伽拉丁约在100年前发现的。但到1966年出现集成电路后，才有更多人对它进行研究。1969年摩托罗拉公司吉姆·贝勒克的研究取得很重要的结果，得出由于电迁移而使电路失效的平均时间T的公式为：这里：A为与横截面积有关的常数；J为电流密度；N为无量纲因子，一般取2； Ea为电迁移的激活能；k为波尔兹曼常数；T为温度。电流密度是一个由设计而定的参数，影晌电迁移的重要物理因素主要有温度、导线的宽度和导线的长度。当电迁移效应出现时，由于离子流的不对称性，可造成二种电线路的失败：由于科学技术的快速发展，集成电路的密度不断提高，现已发展到应用纳米技术阶段，从2004年到2020年集成电路的三个主要参数就可看出它现在的发展趋势：在这样高密度的集成电路要求下，如何避免电迁移效应的发生是一个要考虑的问题。

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