FinFET（Fin Field-Effect Transistor；鳍式场效晶体管），中文名有时称为鳍式场效应晶体管，是一种新的互补式金氧半导体晶体管，可以改善电路控制并减少漏电流，缩短晶体管的闸长。FinFET是一种立体的场效应管，属于多闸极晶体管。FinFET是由加州大学伯克利分校胡正明教授发明的。
当晶体管的尺寸小于25纳米以下，传统的平面场效应管的尺寸已经无法缩小。FinFET的主要思想是将场效应管立体化。
2011年，英特尔已经推出商业化的22纳米FinFET。
在2018年2月开始，中国科学院微电子研究所就该技术涉及该所的部分专利对英特尔提出侵权诉讼，而英特尔多次反制，向中美两国的知识产权管理部门申请专利无效审议或复审，但均告失败，2020年7月28日，国家知识产权局口头受理了该次申请无效审议。
