短沟道效应(英语:short-channel effects)是当金属氧化物半导体场效应管的导电沟道长度降低到十几纳米、甚至几纳米量级时,晶体管出现的一些效应。这些效应主要包括阈值电压随着沟道长度降低而降低、漏致势垒降低(英语:Drain-induced barrier lowering)、载流子表面散射、速度饱和(英语:Saturation velocity)、离子化和热电子效应。
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短沟道效应
✍ dations ◷ 2025-05-21 12:22:11 #半导体元件
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