磷化镓（GaP）是镓的磷化物，是无机化合物，也是半导体材料，其间接能隙为2.26eV（300K）。其多晶的材料为淡橙色。未掺入杂质的单晶芯片会是透明的橙色，但大量掺入杂质的芯片因为吸收自由电子，其颜色会变深。磷化镓无味，不会溶于水。
若要变成N型半导体，需要掺杂硫或是碲，若要制作P型半导体，需要掺杂锌。
磷化镓常用在光学系统中，其折射率在波长262 nm (UV)时为4.30，波长550 nm (green)时为3.45，波长840 nm(IR)时为3.19。
自1960年代起，磷化镓就会用来做低价的红色、绿色及橘色发光二极管，亮度低至中等都有。在大电流时其寿命较短，其寿命对温度也相当敏感，一般会独立使用，或是配合磷砷化镓（英语：Gallium arsenide phosphide）使用。
纯的磷化镓会发波长555 nm的绿光，掺杂氮的会发出波长565 nm的黄绿光，掺杂氧化锌的会发红光(700 nm)。
磷化镓会被黄光及红光穿透，因此磷化镓为基板的磷砷化镓会比以砷化镓为基板的要好。
在温度到900 °C时，磷化镓会分解，并且磷会以气体方式离开。在LED芯片成长时，温度会到1500度，为避免前叙情形，需将磷密封在熔化的氧化硼中，并用10-100大气压力的不活性气体加压。此程序称为液体密封切克劳斯基法（LEC），是硅芯片制程中柴可拉斯基法的变形。
GaAs · GaBr3 · GaCl3 · GaF3 · GaI3 · GaN · Ga(OH)3 · GaP · GaS · GaSb · GaSe · GaTe · Ga2O3 · Ga2S3 · Ga2Se3 · Ga2Te3
