负偏置温度不稳定性

✍ dations ◷ 2025-09-14 07:09:52 #半导体元件

负偏置温度不稳定性(英语:Negative-bias temperature instability, NBTI)是影响金属氧化物半导体场效应管可靠性的一个重要问题,它主要表现为阈值电压的偏移。也被列入半导体元件中,可靠度分析的重要指标。NBTI 效应是CMOS电路中PMOS在Gate给相对负偏置作用下出现的一种退化现象。包含了(IG变大,Vth向负向移动swing变差,电导(Gm)和漏电(Id)变小。而随着元件尺寸的变小,NBTI所带来元件特性的漂移会造成产品失效。甚至在电路表现中,PMOS所带来NBTI的效应会比NMOS HCI热载流子注入失效还要严重,影响电路的寿命。

半导体元件中,Si和SiO2的接口键结强度是造成NBTI好坏的主因,而Si-H键的不稳定,在元件操作中无论在高温或是高电流密度下造成Si-H键结的断裂,使的H元素游离,进而造成闸级电压的漂移。NBTI效应的产生过程主要涉及正电荷的产生和钝化,即接口的陷阱电荷(dangling bond)和氧化层固定正电荷(fixed charge in oxide layer)的产生以及过产生以及扩散物质过程 (氢气和水汽是引起NBTI的两种主要物质)

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