多重图形（Multiple patterning）是指一种在半导体制造过程中的技术。在光刻过程中使用了多重图形曝光增强了制作图形的密度。
尽管极紫外光刻将在下一代光刻中作为一个选项，但是这个仍然需要额外一次曝光。
多重图形的最简单形式是将图形分离成二个或者三个部分。每个部分按照通常的制程方法进行制作。整个图形最终会合并形成最终的图层。这种方法有时称为中心距分离，也会被称为光照-刻蚀-光照-刻蚀（LELE）。
这种技术用于20纳米制程、14纳米制程等。额外暴光的成本在相关制程中可以承受。一个重要的关注点是多次暴光中的图形交叠问题。自对准多重暴光技术成功的引入解决这一问题。
侧壁是一个通过将预图形两边淀积而产生的物质。
由于侧壁使用的是hardmask材料，它们的后刻蚀图形质量非常重要。
