铁电随机存取内存(Ferroelectric RAM,缩写为FeRAM或FRAM),类似于SDRAM,是一种随机存取存储器技术。但因为它使用了一层有铁电性的材料,取代原有的介电质,使得它也拥有非挥发性内存的功能。麻省理工大学达德利·艾伦·巴克(Dudley Allen Buck)在1952年提出的硕士论文中,首次提出了这个概念。
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铁电随机存取内存
✍ dations ◷ 2025-10-23 01:57:14 #电脑内存,固态电脑储存媒体,存储媒体
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