浮带硅 浮带硅(英语:Float-zone silicon)是利用垂直式区域熔炼技术所得到的高纯度硅。先是1953年美国陆军通讯兵团(英语:Signal Corps (United States Army))的科学家保罗·开克(Paul H. Keck,1908年6月28日-1963年4月8日)与马塞尔·儒勒·埃都瓦·高莱(英语:Marcel J. E. Golay)以区域熔炼法制备出硅单晶。 后来又有1955年贝尔实验室的Henry Theuerer改良威廉·加德纳·普凡纯化锗的程序而开发出相关技术。