栅氧化层(英语:gate oxide),是用来把CMOS栅极与下方源极、漏极以及源漏极间导电沟道隔离开来的氧化介质层(如右图)。通过将沟道上方的硅氧化为二氧化硅,栅氧化层得以形成,其厚度大约为5到200纳米,这层物质为绝缘体。栅氧化层上方为导电的栅极材料。栅氧化层充当了介质层,使得栅极能够维持1到5毫伏每立方米的纵向电场,这个电场可以用来控制下方沟道的导通和关断。
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栅氧化层
✍ dations ◷ 2025-04-04 14:47:04 #半导体元件,半导体结构
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