雪崩二极管（avalanche diode）是设计在特定反向电压下，会雪崩击穿的二极管，其材料会用硅或是其他半导体材料。雪崩二极管的接合面会经特别设计，避免电流集中及所产生高温热点，因此在崩溃时不会破坏二极管。雪崩击穿是因为少数载流子加速到足以使晶格电离的程度，因此产生更多的载流子，也造成更进一步的电离。因为雪崩击穿是在接面上均匀发生的，相较于非雪崩的二极管，雪崩二极管的击穿电压不会随电流而变化，大致呈一定值。
齐纳二极管除了齐纳崩溃（英语：Zener breakdown）外，也会有类似的效应。任何一个二极管都会有这二种效应，但一般会有一个效应明显较强。雪崩二极管针对雪崩击穿进行优化，因此在崩溃条件下会有很小，但明显的电压差。而齐纳二极管会维持在高过击穿电压的一个电压下。此特性比较类似气体放电管，比齐纳二极管的保护效果要好。雪崩二极管的电压有小的正温度系数，而齐纳二极管则是负温度系数。
