磷化铟

✍ dations ◷ 2024-09-20 13:43:32 #磷化物,铟化合物,无机磷化合物,光电子学,IARC第2A类致癌物质,III-V半导体材料

磷化铟（Indium phosphide，InP）是由磷和铟组成的二元半导体材料，磷化铟和砷化镓及大部分的三五族半导体相同，都是面心立方（闪锌矿）晶体结构。

磷化铟可由白磷及碘化铟在400 °C下反应来制备。

磷化铟因为电子速率较常见的硅半导体及砷化镓都要高，可用在高功率高频的电子电路中。磷化铟因为有直接带隙（英语：direct bandgap），适合作像激光二极管等光电工程元件。磷化铟也用在铟镓砷（英语：indium gallium arsenide）为基础的光电元件中的磊晶基板。

在面心立方（闪锌矿）晶体结构的化合物中，磷化铟有最长寿命的光学声子。

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