单粒子翻转

单粒子翻转英文缩写SEU（Single-Event Upsets），航天电子学术语，原因是在空间环境下存在着大量高能带电粒子，计算机中的CMOS电子元器件受到地球磁场、宇宙射线等照射，引起电位状态的跳变，“0”变成“1”，或者“1”变成“0”，但一般不会造成器件的物理性损伤。

单粒子翻转指标用单粒子翻转率来描述，单粒子翻转率是器件每天每位发生单粒子翻转的概率，计算质子单粒子翻转率的一般性公式：

${\displaystyle R_p={\int <!--\; \int \; -->}_{E_0}^{\mathrm{\infty <!--\; \infty \; -->}}{\mathrm{\sigma <!--\; \sigma \; -->}}_p(E)\mathrm{\phi <!--\; \phi \; -->}(E)dE(SEU/bit\cdot <!--\; \cdot \; -->d)}$其中：${\displaystyle E_0}$为阈值能量，单位MeV；${\displaystyle {\mathrm{\sigma <!--\; \sigma \; -->}}_p(E)}$为质子单粒子翻转截面积，单位${\displaystyle c{m}^2/bit}$；${\displaystyle \mathrm{\phi <!--\; \phi \; -->}(E)}$为质子微分流量。